胡凌桐,张万里,彭斌,张文旭

• 1:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

摘要(Abstract)：

NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。

关键词(KeyWords)： NiFe薄膜;Ta缓冲层;AMR效应;真空磁场退火;磁控溅射;超薄金属薄膜

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家重点研发计划项目(2017YFB0406400)

作者(Author): 胡凌桐,张万里,彭斌,张文旭

DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.005

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