电子元件与材料

2014, v.33;No.273(11) 73-76+80

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X波段高性能低噪声放大器的设计与实现
Design and implementation of an X-band high performance low noise amplifier

许准,周蓓,马志强,葛俊祥

摘要(Abstract):

设计并实现了一种适用于X波段(11~12 GHz)的高性能低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器选用Ga As FET(MGF4941AL)低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比(VSWR)小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。

关键词(KeyWords): X波段;低噪声放大器;三级级联;噪声系数;VSWR;增益

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 南京市“321”领军人才资助项目(No.20110112);; 江苏省“六大人才高峰”资助项目(No.201201-12);; 江苏省科技型企业技术创新基金资助项目(No.BC2013031)

作者(Author): 许准,周蓓,马志强,葛俊祥

DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.11.018

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