基于非等温能量平衡模型的GTR二次击穿特性研究Secondary breakdown of GTR based on the non-isothermal energy balance model
周涛,裴德礼,陆晓东,吴元庆
摘要(Abstract)：
基于非等温能量平衡传输模型,利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型硅大功率晶体管(GTR)直流正偏二次击穿特性的影响。结果表明:当LE为130μm时,GTR直流正偏二次击穿临界点电压(VSB)最高。对于LE为150μm的GTR,当发射区边缘横向刻蚀距离为10μm时,对直流正偏二次击穿的改善效果最好。当浮空发射区与发射区边缘间距减小到17μm时,浮空发射区开始发挥改善直流正偏二次击穿特性的作用。
关键词(KeyWords)： 晶体管;二次击穿;发射区半宽度;浮空发射区;刻蚀;Silvaco
基金项目(Foundation): 国家自然科学基金项目资助(No.11304020);; 辽宁省教育一般项目资助(No.L2012401)
作者(Author): 周涛,裴德礼,陆晓东,吴元庆
DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.07.019
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