李明达，陈涛，李普生，薛兵

• 1:中国电子科技集团公司 第四十六研究所

摘要(Abstract)：

硅外延层是在硅单晶抛光衬底上采用化学气相沉积方法生长的一层单晶硅薄膜。本实验以150 mm的大尺寸硅抛光片为衬底生长高均匀性外延层，结合傅里叶变换红外线光谱分析（FT-IR）、电阻率测试仪等测试设备对外延层电学参数进行了分析。对平板式外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性的相互作用规律进行了研究，最终制备出表面质量良好、片内和片间不均匀性小于1%的外延层。

关键词(KeyWords)： 硅外延层；化学气相沉积；厚度；电阻率；均匀性；缺陷

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作者(Author): 李明达，陈涛，李普生，薛兵

DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.03.008

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