- 赵新;蒲永平;陈小龙;
为了提高BaTiO3-Nb2O5-Co3O(4BNC)陶瓷的介电常数,采用传统固相反应法制备了MnCO3掺杂的BNC陶瓷,研究了MnCO3掺杂量以及烧结温度对BNC陶瓷致密度及介电性能的影响。结果表明:MnCO3的掺杂提高了BNC陶瓷的介电常数,降低了介质损耗。当MnCO3掺杂量为摩尔分数0.5%时,BNC陶瓷相对介电常数达到最大值12 008,介质损耗为0.032 8;随着烧结温度的升高,所制BNC陶瓷的致密度先增加后降低,其介电常数逐渐降低,介质损耗则先降减小增大。
2011年10期 v.30;No.236 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 2067K] [下载次数：124 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 李学明;张轶群;陈伟;
分别采用磁控溅射技术及真空蒸发技术对压电陶瓷基片进行表面金属化处理,比较了该两种工艺对压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力、耐焊接热特性的影响。结果表明,较之真空蒸发技术,磁控溅射技术可使压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力提高103%,耐焊接热时间大于30 s;该技术还可提高压电陶瓷基片表面金属化的处理效率,使贵金属Ag的单位消耗量减少48%,从而使压电陶瓷频率器件的生产成本降低。
2011年10期 v.30;No.236 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 679K] [下载次数：392 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 莫方策;付振晓;张火光;李娟;
采用固相法制备了BaO-Nd2O3-TiO2(BNT)陶瓷,研究了Bi2O3-SiO2-ZnO-CaO(BSZC)玻璃添加量对所制BNT陶瓷介电性能的影响。结果表明:添加质量分数7%～9%的BSZC玻璃,可使BNT陶瓷在960℃下烧结致密,匹配10Pd/90Ag内电极,获得相对介电常数εr≈88,介质损耗tanδ=6×10–4,电容温度系数αc≈0的高频MLCC陶瓷介质材料。
2011年10期 v.30;No.236 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 1463K] [下载次数：194 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 徐岩岩;傅仁利;李冉;顾席光;韩巍;
采用传统固相反应法制备了Mg0.95Zn0.05TiO3(MZT)微波介质陶瓷,研究了添加ZnO对MgTiO3陶瓷的烧结过程及介电性能的影响。结果表明,添加ZnO不仅有效降低了MgTiO3陶瓷的烧结温度,提高了陶瓷的致密度,而且有效抑制了中间相MgTi2O5的产生,提高了MgTiO3陶瓷的微波介电性能。当ZnO添加量为摩尔分数5%时,在1 300℃烧结4 h所制MZT陶瓷的物相组成为Mg0.95Zn0.05TiO3,相对密度为96.4%,介电性能为:相对介电常数εr=19.0,品质因数Q.f=27 508GHz(7.8 GHz),频率温度系数τ=–16×10–6/℃。
2011年10期 v.30;No.236 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1552K] [下载次数：254 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：1 ] - 黄颖军;张为军;贾鲲鹏;
采用微波加热法于1100℃保温30 min(升温速率为20℃/min)合成Ba6–3xNd8+2xTi18O54(x=0.30～0.75,BNT)陶瓷粉末,再添加质量分数45%的B2O3-SiO2-CaO-MgO(BM)玻璃,在马弗炉中于900℃烧结2 h制得BNT陶瓷。研究了所制陶瓷的微观结构及性能。结果表明:微波加热实现了BNT陶瓷的低温快速合成;x=0.67时的BNT陶瓷加BM玻璃烧结后综合性能最佳:相对介电常数εr=38.3,介质损耗tanδ=19×10–4,抗弯强度σf=106.1MPa,热导率λ=2.684 W/(m.K)。
2011年10期 v.30;No.236 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 1475K] [下载次数：115 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 张力;赵飞;刘守宪;袁纪烈;
采用传统固相法制备出高介电常数的微波介质材料Ba6-3xNd8+2xTi18O54(BNT),并按一定体积比将其与环氧树脂均匀混合,研究了BNT-环氧树脂复合材料的物相、显微形貌和介电性能。结果表明:所得陶瓷粉体颗粒为所需的钨青铜结构;环氧树脂基体内致密无气泡。当体积分数φ(BNT)从0增加到35%,其介电常数在100 MHz下从3.3增加到9.0;该介电常数实验值与Lichtenecker模型和EMT模型的理论值非常接近,但与Maxwell-Garnet模型在φ(BNT)大于10%时的部分偏离较大。
2011年10期 v.30;No.236 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 1068K] [下载次数：155 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 田力;陈姗;蒋马蹄;廉淑华;唐世洪;
以纯度为99.9%的陶瓷靶(w(ZnO)=98%,w(Al2O3)=2%)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响。结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著。衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85%,电阻率为2.67×10–3.cm。
2011年10期 v.30;No.236 23-26+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1786K] [下载次数：183 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：1 ] - 叶楠;陈长春;
用sol-gel法在玻璃基片上分别制备了不同Al浓度掺杂和Al梯度掺杂的掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并研究了分层退火和一次性退火对薄膜结构和性能的影响。结果表明:梯度掺杂与分层退火都能促进薄膜的(002)择优取向。Al掺杂摩尔分数为1.5%的薄膜和经分层退火处理的Al梯度掺杂的薄膜在395 nm处均有很强的紫外发射峰,但经一次性退火处理的Al梯度掺杂的薄膜的紫外发射峰却较弱。所有薄膜在可见光范围内的透光率都在90%以上。
2011年10期 v.30;No.236 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 869K] [下载次数：124 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 杨绪军;陈箫;刘岗;牛坤旺;张文栋;
铌酸锂(LN)作为一种热释电材料,可以被用于制作光电探测器敏感单元的敏感层,但通常LN晶片厚度为0.5 mm,远大于光电敏感单元厚度的要求,所以需要用键合减薄及抛光技术对LN晶片进行加工处理。本研究所用键合减薄技术主要包含:RZJ-304光刻胶键合、铣磨、抛光、剥离液剥离和丙酮清洗RZJ-304胶。利用该技术加工得到了面积为10 mm×10 mm,厚度为50μm,表面比较光滑,表面粗糙度为1.63 nm的LN晶片。LN晶片的热释电信号峰峰值在减薄抛光后为176 mV,是未经处理时的4倍,满足了热释电探测器敏感层的要求。
2011年10期 v.30;No.236 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 1251K] [下载次数：438 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：18 ] |[阅读次数：1 ] - 高净;潘国峰;张东岭;刘玉岭;王娜;
利用钛酸丁酯与无水乙醇的水解反应制备了纳米TiO2厚膜,并对其进行了不同含量的ZnO掺杂和不同温度的退火。通过XRD和SEM对所制备的ZnO-TiO2纳米粉的物相结构和表面微观形貌进行了表征,利用气敏元件测试系统对用其制备的气敏元件的气敏特性进行了检测,研究了ZnO的掺杂量和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响,并对TiO2厚膜的气敏机理进行了讨论。结果表明:ZnO的掺杂有效地抑制了TiO2晶粒的生长,于700℃退火、w(ZnO)=4%的ZnO-TiO2的结晶粒径为15.9 nm,其对氨水蒸气的最高灵敏度达到9 354左右,响应和恢复时间均为1 s。
2011年10期 v.30;No.236 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 1754K] [下载次数：235 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 高洪永;卫国强;罗道军;贺光辉;
研究了Ti的加入对Sn0.7Cu无铅钎料润湿性能以及钎料/Cu界面微观组织的影响。结果表明:在Sn0.7Cu中添加微量Ti,提高了钎料的润湿性能,可使铺展面积提高5%左右,当钎焊时间为3 s时,界面金属间化合物(IMC)形貌由原来的扇贝状变为锯齿状;随着钎焊时间延长,Sn0.7Cu/Cu和Sn0.7Cu0.008Ti/Cu界面IMC层厚度不断增加,其形状逐渐变为板条状,并可观察到IMC在钎料中的溶解、断裂。同等条件下,Ti的加入使界面IMC层的平均厚度减少约10%~25%;晶粒平均尺寸增加20%~75%,且钎焊时间越长,平均尺寸增加越少。
2011年10期 v.30;No.236 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 3440K] [下载次数：263 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：1 ] - 白柳杨;袁方利;张海宝;金化成;李晋林;
通过氢等离子体一步还原碱式碳酸盐制备了纳米金属镍粉和铜粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)检测了产物的纯度、晶体结构、颗粒尺寸和形貌。分析了氢等离子体还原合成金属粉体的过程。结果表明:产物为纯相的金属镍粉和部分氧化的铜粉,粒度均匀、分散性好,平均粒径约为100 nm。氢等离子体还原过程是一个蒸发–气相还原–沉积的过程。碱式碳酸盐的还原产物为无毒的二氧化碳和水,易于与产物金属粉分离。此工艺将是一种批量生产纳米镍粉和铜粉的理想途径。
2011年10期 v.30;No.236 44-46+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 1161K] [下载次数：601 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：2 ] - 甘卫平;陈志波;陈迎龙;郭桂全;罗贱;
为了改善银粉的分散性,以聚丙烯酸(PAA)为分散剂、AgNO3为原料、抗坏血酸为还原剂,通过化学液相还原法制备了高分散超细银粉。研究了pH值、温度和分散剂用量对所制银粉的粒度和表面形貌的影响。结果表明:反应液的酸碱度对银粉的表面形貌有很大影响,在pH值为2时,银粉为树枝状;pH值为4时,银粉为不规则的类球形;pH值为8时,银粉为规则的球形。分散剂的用量对银粉的粒度影响最大,随着分散剂用量的增多,银粉颗粒粒度越来越小。优化的最佳工艺为:pH值为8,温度为50℃,分散剂与硝酸银质量比为0.005。采用最佳工艺制得的银粉分散性最好,平均粒度为1.41μm。
2011年10期 v.30;No.236 47-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1662K] [下载次数：629 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：22 ] |[阅读次数：1 ] - 谈发堂;王辉;王维;陈建国;乔学亮;
采用化学还原法,以聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP)为保护剂,以抗坏血酸为还原剂,还原银氨溶液等制备粒度分布窄的球形导电银粉。利用XRD和SEM对所得银粉进行了表征。结果表明,在本实验条件下,只有以银氨溶液为前驱体时,才能形成粒度分布窄,表面光滑的规则球形银粉。氨水用量对银粒子粒径影响最大,调节氨水用量可以控制银粉的粒径范围(0.2～2.0μm)。质量比m(PVP)/m(AgNO3)=0.5%左右时,所得银粒子的粒径有一个最大值,为1.5～1.7μm。反应温度在20～40℃时,银粉的形状和粒径大小基本不变,有利于工业化生产。
2011年10期 v.30;No.236 52-55+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 1948K] [下载次数：425 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：1 ] - 刘鹏;江建军;陈谦;徐欣欣;缪灵;
采用时域有限差分法(FDTD)计算了蝶形和方环形FSS单元图形的反射与传输特性以及反射信号与入射信号的相位关系,并对计算结果进行了分析。结果表明电磁波的干涉相消是FSS吸波体吸波的主要原因,并且当反射电磁波满足2 nπ的相位关系时才能达到最佳吸波效果;FSS吸波体的中心频率随介质层厚度的增加而下降;介质层厚度为5 mm时,蝶形结构吸波体的中心频率为6.4 GHz;非垂直入射使FSS的传输特性变差;随入射角度增大,FSS传输特性高频部分向低频移动。
2011年10期 v.30;No.236 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 894K] [下载次数：606 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：29 ] |[阅读次数：1 ] - 夏鹏;陈磊;雷剑;王韬;周勇;
采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响。当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化率随磁场强度的增加而增大,在某一磁场强度下达到最大值,然后随磁场强度的增加而下降到负值。在电流频率为2 MHz,磁场强度为2 kA.m–1时,巨磁阻抗变化率达到最大值169.85%。
2011年10期 v.30;No.236 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 824K] [下载次数：214 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：2 ] - 李建辉;范启兵;阳皓;杨邦朝;
通过HFSS软件对基于LTCC技术的垂直堆叠结构的电容进行三维建模,利用ADS软件对等效电路进行拟合计算。设计出工作频率为1GHz下有效电容值为30pF的垂直堆叠结构电容。通过分析电容的结构参数对有效电容和品质因数的影响可知,增加电容值可以通过增加介质的相对介电常数、极板面积等来实现,这对埋置电容设计和调试具有理论指导意义。
2011年10期 v.30;No.236 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 1407K] [下载次数：216 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 刘凯;李晶泽;
采用两种简化的电化学模板(自制的多孔阳极氧化铝膜直接作为模板和铜箔复合的商品AAO模板)法制备了长度在微米级,直径为50和200 nm的Ni纳米线阵列。XRD及扫描电子显微镜(SEM)分析表明制备出的Ni纳米线具有面心立方结构且排列规则。上述两种简化的模板法工艺也可用于制备其他金属、合金等的有序纳米线阵列。
2011年10期 v.30;No.236 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1419K] [下载次数：134 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 苏新虹;周国云;王守绪;何为;
随着电子产品向小型化、轻量化及薄型化发展,HDI(High Density Interconnect)印制电路板更多地开始选用二阶及二阶以上微埋盲孔。对HDI二阶微盲孔对位、填铜药水成分及工艺参数等进行研究,得出了填孔过程中各参数的选择原则,并获得了对位精度为50μm,Dimple(下陷)低于10μm的二阶微盲孔HDI印制板。HDI印制板按照IPC—TM—650标准进行可靠性测试,结果显示产品各项指标合格,并达到了国际IPC—6016标准。
2011年10期 v.30;No.236 72-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 1236K] [下载次数：182 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：2 ] - 杨颖;王锡良;刘晓锋;
介绍了一种新颖的波导类椭圆带阻滤波器。该滤波器的结构由传输TE10主模的矩形波导中的偏移半销钉和四分之一波长传输线组成。波导中半销钉的等效电路即在谐振频率处为一个串联LC谐振电路,此谐振电路产生一个衰减极点。销钉的高度主要用来控制谐振频率,销钉距离波导中心的偏移量用来控制谐振单元间的耦合强度。最后设计了一个中心频率为9.5 GHz,阻带带宽为200 MHz,最大衰减为80 dB的五阶带阻滤波器。
2011年10期 v.30;No.236 76-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 908K] [下载次数：119 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ]