- 陈国华;康晓玲;
采用传统固相法制备了Sr0.3Ba0.7Nb2–yZryO6–y/2(SBNZ)(0≤y≤0.50)陶瓷。研究了Zr掺杂对SBNZ陶瓷微观结构和介电性能的影响。结果表明:y≤0.10时,Zr固溶到SBNZ晶体结构,使陶瓷晶格发生畸变并引起晶粒异常长大;y=0.30时,第二相Ba3ZrNb4O15的生成抑制了晶粒的异常长大。随Zr掺杂量的增加,SBNZ陶瓷的最大介电常数总体上呈先降后升的变化趋势,其室温介电常数则增加,另外,居里温度向室温移动。
2011年12期 v.30;No.238 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 1226K] [下载次数：124 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 管浩;焦宝祥;于雷;
以Ca(NO3)2.4H2O,Co(NO3)2.6H2O为原料,超纯水为溶剂,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了Ca2Co2O5粉末。确定了适用于Ca2Co2O5粉体制备的工艺条件,并利用TG-DSC、XRD、FT-IR、SEM和EDX等手段对Ca2Co2O5的热分解过程、物相组成和形貌进行表征。结果表明:干凝胶在700℃下,煅烧36 h后得到单相Ca2Co2O5粉体,所制粉体形貌呈现疏松片层状结构,颗粒尺寸为15～20μm。
2011年12期 v.30;No.238 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 933K] [下载次数：263 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 曹良足;曹达明;
采用TE01δ模闭腔法,推导了介电常数和介质损耗的计算公式。制作了4种介质谐振器,分析了支撑物的材质及高度、耦合的结构及强弱、金属腔材质对所制介质谐振器的谐振频率和品质因数Q值的影响。结果表明:较高的聚四氟乙烯支撑使介质谐振器有较高的有载Q值,弱的耦合使有载Q值非常接近无载Q值,高Q值的金属腔利于介质材料Q值的精确测量。
2011年12期 v.30;No.238 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 763K] [下载次数：272 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：2 ] - 曹家强;吴传贵;彭强祥;罗文博;张万里;唐治军;
利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅(PbZr0.3Ti0.7O3,PZT)厚膜热释电红外探测器,得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构。使用由斩波器调制的黑体辐射,测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数。结果表明,探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×102V/W;在调制频率为167.3 Hz时,其探测率达7.5×108 cm.Hz1/2/W;PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms,与PZT陶瓷器件相比小约一个数量级,有利于其在高频响应方面的应用。
2011年12期 v.30;No.238 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 957K] [下载次数：213 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 董娜娜;朱孔军;裘进浩;孟庆华;季宏丽;
采用水热-溶胶凝胶法制备了锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷薄膜。首先利用水热法处理Si基板,使之生成SiO2/Si层,然后采用旋涂法在处理好的Si基板上涂覆摩尔比r(Zr∶Ti)为52∶48的PZT前驱体溶胶。研究了基板处理方式、退火温度以及涂胶层数对PZT薄膜结晶性能、表面形貌及厚度的影响。结果表明:水热处理Si基板对PZT薄膜性能有很大提高;随着退火温度的提高,薄膜的结晶性提高,表面更加致密;200℃下水热处理Si基板16 h,最终退火温度为850℃的PZT薄膜结晶性及表面形态最好。
2011年12期 v.30;No.238 17-20+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1416K] [下载次数：543 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：2 ] - 左承阳;崔旭梅;蓝德均;
采用手工刮涂法制备了染料敏化太阳能电池(DSSC)的TiO2薄膜电极,用解吸的方法和正交试验研究了DSSC电池TiO2薄膜电极的染料吸附性能,并结合统计分析方法对染料吸附试验数据进行了分析处理。研究结果表明TiO2薄膜电极具有最优染料吸附性能的烧结条件为:以2℃/min的速率升温至450℃,保温50 min后随炉冷却;浸泡条件为:待薄膜电极温度降至60℃时,放入物质的量浓度为5×10–4mol/L的N719染料中浸泡12 h。且此时组装的染料敏化太阳能电池也具有最好的光电转化效率。
2011年12期 v.30;No.238 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 661K] [下载次数：545 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：2 ] - 郑丹;杨晟;
利用磁控溅射法在硅(Si)衬底上沉积了Ta2O5薄膜,对薄膜进行了不同温度的退火处理,并利用X射线衍射仪对薄膜的微观结构进行了分析。然后在Si的背面和介电薄膜的上面沉积Pt电极,组成了金属-氧化物-半导体(MOS)电容器,对不同温度下退火得到的薄膜制备的MOS电容器的电学性能进行了研究。结果表明,薄膜在700℃开始结晶,且是四方结构的β-Ta2O5。700℃退火得到的薄膜制备的电容器电学性能最好:其相对介电常数最大,为34.9;漏电流密度最小,为1.87×10–6A/cm2(所加电压为1 V)。
2011年12期 v.30;No.238 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 840K] [下载次数：191 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：1 ] - 曾凡菊;谭永前;李光辉;
采用溶胶–凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,利用XRD、SEM、紫外–可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征,研究了ZAO薄膜的结构和光学性能。结果表明:ZAO薄膜的微晶晶相与ZnO一致,且具有c轴择优取向;ZAO薄膜在可见光区的透过率超过了88%,在350~575 nm范围内有强的发光带。随着Al掺杂量的增加,ZAO薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移,发射峰强度先变强后变弱;当摩尔比r(Al:Zn)为0.010时,ZAO薄膜的可见光透过率最高,达91%;发射峰强度达46.3。
2011年12期 v.30;No.238 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 2437K] [下载次数：118 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：1 ] - 张勇;曾祥华;孟祥东;
采用水热法合成了具有花状纳米结构的ZnS:Cu粉末。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱仪研究了在不同正硅酸四乙酯(TEOS)含量的条件下制备的样品的物相、形貌与光致发光(PL)性质。测试结果表明:制备的ZnS:Cu样品都具有立方相闪锌矿结构;由于TEOS分子的影响,制备的样品不再是微球状,而是由厚度为30 nm的纳米片组成的花状纳米结构;随着TEOS含量的增加,样品的PL光谱强度先增强后减弱。此外,样品的发光峰波长保持在560 nm,分析其发光机理为硫空位到Cu的t2能级的跃迁。
2011年12期 v.30;No.238 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 979K] [下载次数：167 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 张鹏;张枨;汝洪博;李祥超;
目前,常采用将压敏电阻片(MOV)并联的方法来提高压敏型电涌保护器(SPD)的通流容量和电压保护水平。根据ZnO压敏电阻的伏安特性,利用冲击发生器HAEFELY PSURGE 30.2和CJ1001型压敏电阻直流参数仪进行了大规模实验,通过对实验数据进行对比分析发现,将压敏电压U1mA作为并联选片的参数是可行的;双片MOV并联的通流容量是单片MOV通流容量的1.4~1.6倍,MOV并联使用能够降低残压以及提高电压保护水平。
2011年12期 v.30;No.238 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 713K] [下载次数：280 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：18 ] |[阅读次数：1 ] - 金轶;何为;苏新虹;黄云钟;朱兴华;
利用网印导电碳浆的方法制作电阻,通过层压工艺实现电阻在多层印制电路板中的内埋。研究了导电碳浆的固化温度及固化时间与电阻值的关系,分析了导电碳浆固化程度及棕化后烘板对层压工艺可靠性的影响,测试了高温高湿与冷热冲击对内埋电阻阻值稳定性的影响。结果表明:导电碳浆固化条件选择固化温度170℃,固化时间4 h,以及棕化后105℃烘板1 h,是避免层压后内埋电阻与粘结片分层的必要条件;层压后的内埋电阻具有良好的耐湿热性能与耐冷热冲击性能。
2011年12期 v.30;No.238 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 909K] [下载次数：262 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：1 ] - 董晓辉;吴传贵;罗文博;彭强祥;唐志军;
利用微机电系统(MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源。该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层。研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响。结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低。当支撑层厚度为1μm时,辐射源调制频率在50%的调制深度下达13 Hz,其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求。
2011年12期 v.30;No.238 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 856K] [下载次数：201 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 岳帅旗;刘志辉;徐洋;张刚;
设计了基于LTCC(低温共烧陶瓷)的微通道散热模型,运用ANSYS软件对其进行了热-流耦合仿真分析,并制作了试验样件。测试结果显示,在环境温度25℃、冷却水入口水温25℃、入口流量27 mL/min、热源功率30 W的工况下,系统平衡时的最高温度为79.3℃,与仿真结果的85.7℃较为吻合,等效散热通量达到120 W/cm2。
2011年12期 v.30;No.238 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 862K] [下载次数：392 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：16 ] |[阅读次数：1 ] - 王志刚;邢光龙;高峰;张福荣;
针对某些传统滤波器阻带较窄,抑制谐波性能差的缺点,对传统的阶梯阻抗谐振器(SIR)进行了改进,使之通带内回波损耗降低,频带增宽,同时利用缺陷接地结构(DGS)抑制谐波特性来增加阻带宽度,得到一款低插损滤波器,最后使用HFSS建模仿真。结果表明:该滤波器具有良好的通带效果,通带内插入损耗小于1 dB,回波损耗大于10 dB,其上阻带频率超过18 GHz,在17.5 GHz处的衰减大于29 dB,可以有效抑制谐波。
2011年12期 v.30;No.238 48-49+53页 [查看摘要][在线阅读][下载 2289K] [下载次数：466 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：1 ] - 刘晓锋;王锡良;杨颖;
广义切比雪夫带阻滤波器含有相移的设计可以使带阻滤波器实现任意位置的反射零点。含有相移的网络在实现之前必须进行优化以减少杂散波的影响,据此从低通原型电路出发,设计制作并测试了一个结构新颖的含有相移的四阶线形带阻滤波器,其中心频率为9.780 GHz,阻带抑制为39 dB,通带中的回波损耗超过18.17 dB。最终的测试和仿真结果证明了这种设计的可行性。
2011年12期 v.30;No.238 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 2307K] [下载次数：375 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：2 ] - 蒋礼;伍晓霞;潘毅;张健;
以单个无铅焊点为研究对象,根据裂纹扩展及趋肤效应建立了无铅焊点的阻抗等效模型,给出了模型参数的计算方法,并用Matlab软件对模型进行了仿真。结果表明:随裂纹扩展,焊点阻抗经历了一个由缓慢变化到突变的过程,且信号频率越高,阻抗突变时间越早;在500 MHz信号作用下,当裂纹面积约为焊点横截面的75%时,焊点阻抗便发生突变,而直流电阻则在焊点临近断裂时才有较大的变化。
2011年12期 v.30;No.238 54-57+60页 [查看摘要][在线阅读][下载 836K] [下载次数：169 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 李国伟;梁亚红;雷永平;孙丽;
对助焊剂的活性组分和其他组分采用正交试验进行筛选,根据工业标准对其进行了焊料铺展面积测试,效果较好的活性剂进行复合处理,对配制出的活性剂溶液加入松香配制成助焊剂进行性能测试。结果表明:当有机酸和三乙醇胺的质量比为12:1,占助焊剂质量分数的13.68%时,溶液的pH值达到3.94,扩展率可达80.06%,钎焊后的焊点光亮、无飞溅、残留量低。
2011年12期 v.30;No.238 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 738K] [下载次数：300 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：1 ] - 阎德劲;
针对毫米波电路引线楔形焊接工艺优化难题,提出将一种带惩罚函数项的改进BP(Back Propagation,反向传播)神经网络算法用于引线楔形焊接质量智能预测中。通过试验分析了影响楔形焊接质量的关键工艺参数,提取了楔形焊接质量评价指标,基于改进的BP神经网络,建立了引线楔焊质量智能预测模型。研究结果表明,所提出的改进BP神经网络算法合理,且能有效预测工艺参数对引线楔焊质量的影响规律。
2011年12期 v.30;No.238 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 797K] [下载次数：75 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ]