- 龚雨庭;钟朝位;
采用传统的固相反应法制备了Li2O-B2O3-Si O2(LBS)玻璃掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷,研究了LBS作为烧结助剂对BNZ陶瓷的烧结特性、晶相组成、微观结构以及介电性能的影响。结果表明,添加少量LBS玻璃后的陶瓷试样中没有出现第二相,主晶相仍为立方焦绿石结构。烧结助剂能有效降低BZN陶瓷的烧结温度,当LBS质量分数为0.6%时,陶瓷试样的烧结温度降到900℃,制备的试样具有良好的介电性能:相对介电常数为159,介质损耗为8×10–4(1 MHz)。
2015年10期 v.34;No.284 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 417K] [下载次数：126 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 高永毅;欧阳辰鑫;朱建华;王海;
采用激光粒度分析仪、XRD、SEM等分析手段,测试研究了预烧温度对Ni Cu Zn铁氧体物相组织、烧结显微组织和直流偏置特性的影响。结果表明:当预烧温度较低时,固相反应不完全,致使铁氧体中残留Cu O,晶粒生长不均匀;提高预烧温度能够细化Ni Cu Zn铁氧体的晶粒,并改善其直流偏置特性;当预烧温度在850℃时,能够获得较高的初始磁导率和较好的直流偏置特性。
2015年10期 v.34;No.284 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 217K] [下载次数：139 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 闫会影;田先清;马凤国;孙杰;
通过简单经济的水溶液法并配合后续煅烧制备出了一维Cu O纳米线。利用SEM、XRD、XPS等手段对所得纳米线的形貌、组成和晶体结构进行了表征,同时还测试了其在200℃下对常见挥发性有机物(VOC)的气敏响应状况。结果显示,Cu O纳米线气敏传感器对(10~1 000)×10–6(体积分数,以下同)的乙醇、甲醇、丙酮体现出优良的气敏响应特性,在(10~100)×10–6范围内,灵敏度随气体浓度增加呈线性增长,超过100×10–6后增长趋于平缓;响应时间均在10 s以内;浓度累加实验和多次重复实验显示出材料良好的稳定性和重复性;对所测11种VOC中的乙醇、甲醇、丙酮有一定的选择性;响应恢复基线无明显漂移;在300℃下,Cu O纳米线气敏传感器对(10~1 000)×10–6乙醇的灵敏度始终高于商用Sn O2气敏传感器。
2015年10期 v.34;No.284 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 434K] [下载次数：161 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 塔力哈尔·夏依木拉提;尚志勇;李文亮;彭敏;孟军霞;谢宁;
结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。
2015年10期 v.34;No.284 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 451K] [下载次数：197 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 林榕;黄瑞南;胡勇;谢冬桔;彭龙;梁嘉宝;黄新友;
采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。
2015年10期 v.34;No.284 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 250K] [下载次数：193 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：1 ] - 万静;杨成韬;
快速退火(RTA,rapid thermal annealing)工艺的升温速率高,可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度,缩短薄膜的晶化时间,有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失,减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短,RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向,采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析,结果表明:分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的(111)择优取向的PZT薄膜,650℃是形核阶段最佳退火温度,600℃是晶粒生长阶段最佳温度,二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。
2015年10期 v.34;No.284 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 494K] [下载次数：188 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 万静;杨成韬;
锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]薄膜具有优异的铁电性能,其中以(111)取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚,而PZT薄膜制备中,薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构,利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出PbxPt团簇分子的结构,发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴,结构上与PZT薄膜(111)晶面取向相似。提出高温退火生成的大量PbxPt团簇分子是(111)晶面取向生长的"诱导剂",控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜(111)取向生长。
2015年10期 v.34;No.284 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 332K] [下载次数：157 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 梅卫进;杨昌锦;
由压电材料层与金属电极组合的层状结构功能器件应用很广,但在工程应用时因受荷载作用此类层合结构很容易在层间界面出现脱层屈曲现象。为了研究脱层屈曲时的临界荷载、力电耦合效应对屈曲临界载荷的影响,为此类层状器件的设计提供参考,本文用ABAQUS对压电层表面金属层圆形脱层的屈曲问题进行有限元研究,并将有限元解与利用弹性稳定理论将圆形脱层简化成薄圆板在考虑简支和固支边界时的结果进行对比分析,用以说明有限元结果的正确性。
2015年10期 v.34;No.284 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 295K] [下载次数：126 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 魏宏阳;蔡道林;陈一峰;霍如如;宋志棠;
从保持力失效时间的角度出发,对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现,在比较高的温度下,随着测试时间的增长,存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且,温度越高,失效时间越短。不同初始RESET阻值条件下的阻值分布曲线也验证了通过增加非晶区域的有效体积可以改善保持力可靠性。不同存储器单元的失效时间分布也验证了一个假设:若在非晶区域中本来就存在晶粒,则晶粒生长重组会缩短失效时间;若是晶化过程发生在非晶区域和结晶区域的边界处,失效时间会明显增长。
2015年10期 v.34;No.284 40-42+63页 [查看摘要][在线阅读][下载 353K] [下载次数：140 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 周涛;陆晓东;吴元庆;刘兴辉;吴春瑜;
利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。
2015年10期 v.34;No.284 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 282K] [下载次数：117 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 曹煜;唐小宏;
首次提出了一种并联枝节蜿蜒线。利用周期性结构传输线理论,首先对并联枝节蜿蜒线进行了结构与理论分析,提出了具体设计方法,并利用该方法成功设计实现了一个中心频率为2.4 GHz的小型化微波六端口结。该六端口结的电路尺寸仅为传统结构的25.3%,并且不以损失电性能为代价,具有与传统结构相近的频率响应特性。
2015年10期 v.34;No.284 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 254K] [下载次数：81 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 李刚;
针对传统波导滤波器设计中没有考虑耦合结构频率特性导致带宽设计较窄问题,提出了一种基于频变耦合结构的波导滤波器设计方法,该方法将耦合结构等效为一个频变的阻抗变换器,通过等效电路变换将变换器频变特性的影响转换为对谐振腔电抗斜率参数的影响。最后,通过一个宽带波导滤波器的设计实例验证了该方法的有效性。
2015年10期 v.34;No.284 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 157K] [下载次数：132 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：2 ] - 张华全;潘武;马媛波;戴鹏;张玉;
基于复合左右手传输线理论,设计了一款新型超宽带(UWB)带通滤波器。该滤波器结构简单且尺寸只有0.288λg×0.105λg(4.58 mm×12.62 mm)。通带为2.9~10.75 GHz,3 d B,10 d B分数带宽分别为115%,153.8%,通带内插入损耗小于0.5 d B,回波损耗小于–16.5 d B,边带抑制能力为–31.5 d B。为了抑制WLAN信号对超宽带通信系统的干扰,利用加载短截线谐振器的方法对该滤波器进行了陷波处理,陷波深度大于20 d B。滤波器实物测试与仿真结果相吻合,能应用于超宽带通信系统中。
2015年10期 v.34;No.284 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 268K] [下载次数：185 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 朱友杰;邢孟江;
设计了一款应用于北斗导航系统的带通滤波器。该滤波器采用新型阶跃阻抗谐振器(SIR)结构,通过在谐振器间引入交叉反馈产生传输零点,能够有效地对GSM和WIFI频段形成抑制。使用Ansoft HFSS软件仿真并运用低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产滤波器,样品的实际测试结果与仿真结果吻合较好。滤波器中心频率为1 561 MHz,带宽为250 MHz,通带内插入损耗小于2.5 d B,带外抑制在GSM的900 MHz频段大于50 d B,在GSM的1 800 MHz频段大于30 d B,在WIFI频段优于30 d B。设计出的滤波器结构紧凑,尺寸仅为4.5 mm×3.2 mm×1.6 mm。
2015年10期 v.34;No.284 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 230K] [下载次数：170 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 冉莹玲;靳斌;
基于MEMS技术设计了一种新型结构的微型热导检测器。选择了高电阻率、高温度系数的热敏元件,以四臂直通式作为结构模型,并对结构器件材料的热耗散性能进行仿真分析,采用热损耗最小的聚酰亚胺作为绝热层,以微加工工艺为基础完成了微型热导检测器的制作。实验结果表明,该新型热导检测器测量体积分数85%的标准气体时最大误差为0.068%,相比传统的热导检测器灵敏度提高约25%。
2015年10期 v.34;No.284 64-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 187K] [下载次数：273 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：2 ] - 李汶洁;谷传欣;仲超;秦雷;王丽坤;
利用多模耦合原理,将两片不同厚度的1-3型复合材料叠堆,制作宽带压电振子。用串并联理论与等效参数理论,计算不同厚度复合材料的谐振频率,得出构成层叠压电振子的两片复合材料的谐振频率差,并通过实验加以验证。结果显示,实验值与计算值吻合较好。将上述压电振子灌封,制作水声换能器并进行测试。结果表明,四只换能器的–3 d B带宽最大可达80 k Hz,最大发送电压响应均在163 d B以上。
2015年10期 v.34;No.284 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 272K] [下载次数：217 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 汤雪彬;金舒萍;
提出了一款新型平面三频段微带缝隙天线。首先设计了一个由阶梯阻抗辐射贴片构成的宽带天线,然后通过在贴片上开C型和U型缝隙,引入了两个陷波,实现了三频段天线。所设计三频段微带天线的三个频段的中心频率分别为2.54,3.56以及5.06 GHz。其中,第一频段电压驻波比(VSWR)≤2的阻抗带宽范围为2.32~2.76 GHz,第二频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.34~3.78 GHz,第三频段VSWR≤2的阻抗带宽范围为3.96~6.16 GHz,天线的尺寸为52 mm×56 mm×0.813 mm。该天线的频带范围包含了无线局域网(WLAN)和全球微波互联接入(Wi MAX)的所有频段。
2015年10期 v.34;No.284 72-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 353K] [下载次数：371 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：1 ] - 鲁文芳;陈振华;葛俊祥;
在常规Vivaldi天线的基础上提出一种双指数渐变加梳状槽结构的新型Vivaldi天线,该天线通过在辐射面引入梳状开缝结构,可以实现对天线表面电流的调整。该天线在2.4~10.6 GHz常用无线通信频率范围内驻波比小于2,天线增益达到6 d Bi以上且在频带内保持较好的平坦度,实测结果与其仿真结果相吻合。在同等天线长度及张角条件下,该天线具有较常规Vivaldi天线更宽的工作带宽和更高的天线增益,且实测方向性良好,可用于各类无线通信系统。
2015年10期 v.34;No.284 76-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 1273K] [下载次数：364 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：1 ] - 杨放;卫铭斐;王民;王纯;周军妮;
提出了一种单点背馈的圆极化正方形环微带贴片天线。该天线的辐射贴片由一个正方形环和对角线上的一个L形枝节构成,介质基板为空气层或由FR4环氧树脂板和空气层组合而成的双层介质。通过调节枝节的宽度及枝节上馈电点位置可实现天线的圆极化辐射。结果表明:介质厚度为0.049λ0(λ0为中心波长)时,天线的阻抗带宽大于6%,圆极化带宽为1.8%,最大增益可达8.7 d B,最小轴比小于0.5 d B。与普通的空气介质贴片天线相比,天线的贴片面积缩小了47%。
2015年10期 v.34;No.284 81-83页 [查看摘要][在线阅读][下载 144K] [下载次数：541 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 向东红;徐自强;张海力;杨邦朝;
设计了一种新型的开弧形槽超宽带印刷天线。该天线采用对称结构的"眼睛"形状作为辐射面,在矩形面开两个对称的1/4圆弧槽和一个半圆槽作为大地面,并且引入四节微带馈线进行阻抗匹配。通过对该天线的参数仿真和优化并进行实物制作和性能测试。结果表明,此天线的频带宽度为2.3~3.9 GHz(S11<–10 d B),相对阻抗带宽达到51.6%。该天线具有良好的方向图,满足超宽带天线的性能要求。
2015年10期 v.34;No.284 84-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 305K] [下载次数：150 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：2 ] - 杨淼森;孔祥霞;
借助纳米压痕的方法,采用压痕形成过程中塑性应变与总应变的比值来表征钎料塑性。对Sn Bi-x Ni(x=0,0.05,0.1,0.15和0.2)成分钎料的硬度、弹性模量及塑性进行了对比。结果表明:Sn58Bi钎料合金加入Ni元素后,钎料硬度和弹性模量升高。当Sn58Bi-x Ni钎料中Ni含量的质量分数为0.1%时,其硬度及弹性模量最大。当Ni质量分数超过0.1%时,钎料的硬度与弹性模量有所下降。当添加Ni元素质量分数为0.05%~0.1%时,钎料合金的组织得到了细化,钎料合金的塑性提高;当Ni质量分数大于0.15%时,钎料的塑性降低。
2015年10期 v.34;No.284 88-90+94页 [查看摘要][在线阅读][下载 396K] [下载次数：240 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：2 ] - 邓海文;檀柏梅;张燕;顾张冰;
采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。
2015年10期 v.34;No.284 91-94页 [查看摘要][在线阅读][下载 180K] [下载次数：127 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：1 ]